一款抗辐射SRAM的后端物理设计

电子世界杂志|孟少鹏 中国电子科技集团公司第38研究所

摘要:随着半导体工艺的进步和器件的特征尺寸缩短,单粒子多位翻转事件和单粒子瞬态辐射效应事件显著增长,传统多模冗余技术无法满足加固要求。对一款抗辐射存储器进行后端物理设计,在布局和时钟树设计阶段实现了空间交织冗余和时间交织冗余的加固手段,最后对物理设计结果进行了分析。

【关键词】
  • 物理设计
  • 抗辐射
  • sram
  • 冗余技术
  • 时间交织
  • 半导体工艺
  • 特征尺寸
  • 辐射效应
【收 录】
  • 万方收录(中)
  • 上海图书馆馆藏
  • 国家图书馆馆藏
  • 知网收录(中)
  • 维普收录(中)
  • CA 化学文摘(美)

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