SiC IGBT正向导通特性研究

电力电子技术杂志|刘国友; 高云斌; 陈喜明; 李诚瞻 新型功率半导体器件国家重点实验室; 湖南株洲412001; 株洲中车时代电气股份有限公司; 湖南株洲412001

摘要:SiC绝缘栅双极型晶体管(IGBT)兼具了导通损耗低、开关频率高的显著优势,已成为下一代高压开关器件的重点研究对象。然而,由于高质量的SiC衬底、外延材料制备不易,器件机理及工艺流程较为复杂,研究开发过程比较缓慢。通过针对性的器件物理建模,在此基于Silvaco软件完成了器件的正向导通特性仿真,分析了缓冲层及结型场效应晶体管(JFET)区对器件正向性能的影响,并基于以上结果进行了实际流片,测试结果基本符合理论预期。

【关键词】
  • 绝缘栅双极型晶体管
  • 碳化硅
  • 缓冲层
【收 录】
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期刊名称:电力电子技术

期刊级别:北大期刊

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